SiC Schottky Barrier Diodes (650V, 8A)

650V SiC 蕭特基勢壘二極體 8A 顯著增強了 IFSM（浪湧正向電流能力），即使在惡劣的浪湧環境下也能確保穩定運行，使其成為工業電源、電動汽車外圍設備和逆變器等各種應用的理想產品。

特點

Repetitive Peak Reverse Voltage VRM=650V
Forward Current IF(AVE)=8A
Forward Voltage VF=1.35V (TYP.)

技術文件

  • Product Overview

    • 封裝

    封裝名稱 引腳數 個/Reel 外形尺寸（mm）
    TO-220AC 2 1,000 / 20 Tubes 10.29 x 28.69 x 4.75
    TO-220FM-2 2 1,000 / 20 Tubes 10.10 x 28.97 x 4.90

    XBSC42A086系列型號

    型號 樣品 封裝 EDA 在線商店

    XBSC42A086CS-G

    		 TO-220AC

    XBSC42A086FS-G

    		 TO-220FM-2

    XBSC42A086 系列相關諮詢

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